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高電子移動度トランジスタ

高電子移動度トランジスタ(こうでんしいどうど-、High Electron Mobility Transistor)は、半導体ヘテロ接合に誘起された高移動度の二次元電子ガス(2DEG)をチャネルとした電界効果トランジスタのことで、英語の単語の頭文字を取ってHEMT(ヘムト)と呼ばれる。1979年に富士通研究所の三村高志により発明された。構造上の特徴からヘテロFET (HFET、hetero-FET)、ヘテロ接合FET (HJFET、Hetero-Junction-FET)と呼ばれることもある。一般に化合物半導体で作製され、GaAs系、InP系、GaN系、SiGe系などがある。

高電子移動度トランジスタ型番一覧

ATF-36077
(2-18 Ultra Noise Pseudomorphic HEMT )
Agilent(Hewlett-Packard)
ATF-36163
(1.5-18 Surface Mount Pseudomorphic HEMT )
Agilent(Hewlett-Packard)
MGF4951
(SUPER NOISE InGaAs HEMT )
Mitsubishi Electric Semiconductor
ATF501P8
(Agilent ATF-501P8 High Linearity Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT LPCC Package )
HP[Agilent(Hewlett-Packard)]
ATF55143
(Agilent ATF-55143 Noise Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT Surface Mount Plastic Package )
HP[Agilent(Hewlett-Packard)]
ATF54143
(Noise Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT Surface Mount Plastic Package )
AGILENT
ATF-38143-
(Noise Pseudomorphic HEMT Surface Mount Plastic Package )
HP[Agilent(Hewlett-Packard)]
ATF-35143-BLK
(TRANSISTOR,HEMT,N-CHAN,5.5V V(BR)DSS,40MA I(DSS),SOT-343R )
Agilent Technologies
ATF-331M4-
(Agilent ATF-331M4 Noise Pseudomorphic HEMT Miniature Leadless Package )
HP[Agilent(Hewlett-Packard)]
ATF-52189-BLK
(Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT Package )
Agilent(Hewlett-Packard)

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