絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ぜつえんゲートバイポーラトランジスタ、Insulated Gate Bipolar Transistor、IGBT）は半導体素子のひとつで、MOSFETをゲート部に組み込んだバイポーラトランジスタである。電力制御の用途で使用される。
特徴:電圧制御型のMOS-FETの欠点である高耐圧に伴って高くなるオン抵抗による発熱と、バイポーラトランジスタの低いスイッチング速度という欠点をそれぞれ補うように、入力段にMOS-FETを、出力段にバイポーラトランジスタを1つの半導体素子上に構成したものである。 ゲート・エミッタ間の電圧で駆動され、入力信号によってオン・オフができる自己消弧形であるので、大電力の高速スイッチングが可能な半導体素子である。 通常3相インバータを構成する場合、ゲート信号用の独立した電源が4組必要だが 小容量IGBT/MOS-FETではゲート電流が非常に小さい事からコンデンサに充電した電荷で駆動できる（ブートストラップ回路） 但しコンデンサが不良になるとゲート信号が出力できなくなる欠点があるため 以下に示すIPM駆動の小型インバータで採用されている程度である。
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ型番一覧
(IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) )
Siemens Semiconductor Group
(600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode )
Fairchild Semiconductor
(600V, Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode )
Fairchild Semiconductor
(Fast IGBT NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode )
Infineon Technologies
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