電界効果トランジスタ•TQ1001Jの技術情報

TQ1001J

パッケージ :

メーカ名 :

ピン数 :

商品説明 :
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 560MA I(D) | DIP

温度範囲 : Min °C | Max °C

TQ1001J