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電界効果トランジスタ•NTGD4169FT1Gの技術情報

NTGD4169FT1G

パッケージ :

メーカ名 : Semiconductor

ピン数 :

商品説明 :
Power MOSFET Schottky Diode N−Channel with Schottky Barrier Diode, TSOP−6

温度範囲 : Min °C | Max °C

NTGD4169FT1G PDF