電界効果トランジスタ•ND2012Eの技術情報

ND2012E

パッケージ :

メーカ名 :

ピン数 :

商品説明 :
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 160MA I(D) | TO-52

温度範囲 : Min °C | Max °C

ND2012E