電界効果トランジスタ•IXSR35N120BD1の技術情報
IXSR35N120BD1
パッケージ :
メーカ名 :
ピン数 :
商品説明 :
IGBT with Diode ISOPLUS (Electrically Isolated Backside)
温度範囲 : Min °C | Max °C
パッケージ :
メーカ名 :
ピン数 :
商品説明 :
IGBT with Diode ISOPLUS (Electrically Isolated Backside)
温度範囲 : Min °C | Max °C