電界効果トランジスタ•IXGR60N60U1の技術情報
IXGR60N60U1
パッケージ :
メーカ名 : IXYS[IXYS Corporation]
ピン数 :
商品説明 :
LowV-CE(sat) IGBT with Diode ISOPLUS247-TM (Electrically Isolated Back Surface)
温度範囲 : Min °C | Max °C
パッケージ :
メーカ名 : IXYS[IXYS Corporation]
ピン数 :
商品説明 :
LowV-CE(sat) IGBT with Diode ISOPLUS247-TM (Electrically Isolated Back Surface)
温度範囲 : Min °C | Max °C