電界効果トランジスタ•IXGQ150N100Y3の技術情報
IXGQ150N100Y3
パッケージ :
メーカ名 :
ピン数 :
商品説明 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 150A I(C)
温度範囲 : Min °C | Max °C
IXGQ150N100Y3
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商品説明 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 150A I(C)
温度範囲 : Min °C | Max °C
IXGQ150N100Y3