電界効果トランジスタ•IRHNA5760SEの技術情報
IRHNA5760SE
パッケージ :
メーカ名 :
ピン数 :
商品説明 :
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 55A I(D) | SMT
温度範囲 : Min °C | Max °C
IRHNA5760SE
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 55A I(D) | SMT
温度範囲 : Min °C | Max °C
IRHNA5760SE