電界効果トランジスタ•IRHG110の技術情報
IRHG110
パッケージ :
メーカ名 :
ピン数 :
商品説明 :
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 950MA I(D) | DIP
温度範囲 : Min °C | Max °C
IRHG110
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商品説明 :
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 950MA I(D) | DIP
温度範囲 : Min °C | Max °C
IRHG110