電界効果トランジスタ•IRGTI200F06の技術情報
IRGTI200F06
パッケージ :
メーカ名 :
ピン数 :
商品説明 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C)
温度範囲 : Min °C | Max °C
IRGTI200F06
パッケージ :
メーカ名 :
ピン数 :
商品説明 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C)
温度範囲 : Min °C | Max °C
IRGTI200F06