電界効果トランジスタ•IRGTDN200K06の技術情報

IRGTDN200K06

パッケージ :

メーカ名 :

ピン数 :

商品説明 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 260A I(C)

温度範囲 : Min °C | Max °C

IRGTDN200K06