電界効果トランジスタ•IRGTDN150M12の技術情報

IRGTDN150M12

パッケージ :

メーカ名 :

ピン数 :

商品説明 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 280A I(C)

温度範囲 : Min °C | Max °C

IRGTDN150M12