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電界効果トランジスタ•HGTD7N60A4S9Aの技術情報

HGTD7N60A4S9A

パッケージ :

メーカ名 :

ピン数 :

商品説明 :
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 34A I(C) | TO-252AA

温度範囲 : Min °C | Max °C

HGTD7N60A4S9A