電界効果トランジスタのウェブサイト

電界効果トランジスタ情報サイト

電界効果トランジスタ•HGT1S2N120BNDSの技術情報

HGT1S2N120BNDS

パッケージ :

メーカ名 : INTERSIL[Intersil Corporation]

ピン数 :

商品説明 :
1200V, Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

温度範囲 : Min °C | Max °C

HGT1S2N120BNDS PDF