電界効果トランジスタ•HGT1S1N120BNDSの技術情報
HGT1S1N120BNDS
パッケージ :
メーカ名 : Intersil Corporation
ピン数 :
商品説明 :
5.3A, 1200V, SERIES N-CHANNEL IGBT WITH ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE
温度範囲 : Min °C | Max °C
パッケージ :
メーカ名 : Intersil Corporation
ピン数 :
商品説明 :
5.3A, 1200V, SERIES N-CHANNEL IGBT WITH ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE
温度範囲 : Min °C | Max °C