電界効果トランジスタ•GT50J12106の技術情報
GT50J12106
パッケージ :
メーカ名 : Toshiba Semiconductor
ピン数 :
商品説明 :
Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications
温度範囲 : Min °C | Max °C
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メーカ名 : Toshiba Semiconductor
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Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications
温度範囲 : Min °C | Max °C