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電界効果トランジスタ•GT30J324の技術情報

GT30J324

パッケージ :

メーカ名 : Toshiba Semiconductor

ピン数 :

商品説明 :
Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon Channel IGBT

温度範囲 : Min °C | Max °C

GT30J324 PDF