電界効果トランジスタ•GT30J121の技術情報

GT30J121

パッケージ :

メーカ名 : Toshiba Semiconductor

ピン数 :

商品説明 :
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon Channel IGBT

温度範囲 : Min °C | Max °C

GT30J121 PDF