電界効果トランジスタ•GT25Q102_06の技術情報
GT25Q10206
パッケージ :
メーカ名 : Toshiba Semiconductor
ピン数 :
商品説明 :
Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications
温度範囲 : Min °C | Max °C
パッケージ :
メーカ名 : Toshiba Semiconductor
ピン数 :
商品説明 :
Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications
温度範囲 : Min °C | Max °C