電界効果トランジスタ•GT25G10106の技術情報

GT25G10106

パッケージ :

メーカ名 : Toshiba Semiconductor

ピン数 :

商品説明 :
SILICON N−CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS

温度範囲 : Min °C | Max °C

GT25G10106 PDF