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電界効果トランジスタ•GT20J301_06の技術情報

GT20J30106

パッケージ :

メーカ名 : Toshiba Semiconductor

ピン数 :

商品説明 :
SILICON CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

温度範囲 : Min °C | Max °C

GT20J30106 PDF