電界効果トランジスタ•GT20J301_06の技術情報
GT20J30106
パッケージ :
メーカ名 : Toshiba Semiconductor
ピン数 :
商品説明 :
SILICON CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
温度範囲 : Min °C | Max °C
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メーカ名 : Toshiba Semiconductor
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SILICON CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
温度範囲 : Min °C | Max °C