電界効果トランジスタ•GT10J303_06の技術情報

GT10J30306

パッケージ :

メーカ名 : Toshiba Semiconductor

ピン数 :

商品説明 :
SILICON CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

温度範囲 : Min °C | Max °C

GT10J30306 PDF