電界効果トランジスタ•GP1000DHB06Sの技術情報
GP1000DHB06S
パッケージ :
メーカ名 :
ピン数 :
商品説明 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 1KA I(C)
温度範囲 : Min °C | Max °C
GP1000DHB06S
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 1KA I(C)
温度範囲 : Min °C | Max °C
GP1000DHB06S