電界効果トランジスタ•FME6G10US60の技術情報
FME6G10US60
パッケージ :
メーカ名 :
ピン数 :
商品説明 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | COMPLEX BRIDGE | 600V V(BR)CES | 10A I(C)
温度範囲 : Min °C | Max °C
FME6G10US60
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | COMPLEX BRIDGE | 600V V(BR)CES | 10A I(C)
温度範囲 : Min °C | Max °C
FME6G10US60