電界効果トランジスタ•CM200DY12Eの技術情報
CM200DY12E
パッケージ :
メーカ名 :
ピン数 :
商品説明 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C)
温度範囲 : Min °C | Max °C
CM200DY12E
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商品説明 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C)
温度範囲 : Min °C | Max °C
CM200DY12E