電界効果トランジスタ•BSM200GB120の技術情報
BSM200GB120
パッケージ :
メーカ名 : Siemens Semiconductor Group
ピン数 :
商品説明 :
IGBT Power Module Loss IGBT inductance halfbridge Including fast free- wheeling diodes)
温度範囲 : Min °C | Max °C
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メーカ名 : Siemens Semiconductor Group
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商品説明 :
IGBT Power Module Loss IGBT inductance halfbridge Including fast free- wheeling diodes)
温度範囲 : Min °C | Max °C