電界効果トランジスタ•BSM200GA170DN2Sの技術情報

BSM200GA170DN2S

パッケージ :

メーカ名 :

ピン数 :

商品説明 :
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.7KV V(BR)CES | 290A I(C)

温度範囲 : Min °C | Max °C

BSM200GA170DN2S