電界効果トランジスタ•APT6030HJNの技術情報
APT6030HJN
パッケージ :
メーカ名 :
ピン数 :
商品説明 :
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)DSS | 23A I(D)
温度範囲 : Min °C | Max °C
APT6030HJN
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商品説明 :
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)DSS | 23A I(D)
温度範囲 : Min °C | Max °C
APT6030HJN